Crosstalk among neighboring interconnects
Capacitive crosstalk roughly proportional to kc=CIMD /CILD
⇒ Mainly fixed by the aspect ratio of lines and vias
⇒ Crosstalk level increases at each new generation
Induces delay uncertainty
A low-κ dielectric materials with a dielectric constant less than the dielectric constant of silicon dioxide, κ<4
First low-κ was applied at the
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
1. SCF란 무엇인가
SCF는 Supercritical Fluid의 줄임말이고 초임계 유체라고도 부른다. 오른쪽 상평형도를 살펴보면 solid 부분, liquid 부분, gas 부분에서는 단일상이 나타나지만 각 부분의 경계에서는 그 경계를 이루는 두 상이 공존한다. critical point에서는 액체와 기체간의 경계가 없어지고, critical point 이
LCR meter
LCR 미터는 고분자의 유전상수를 측정할 수 있는 장치이다. LCR미터의 측정원리를 알아보고, 측정용도와 사용방법에 대해 간단히 알아 보도록 하겠다. 그리고 주어진 과제를 통해 PDMS의 유전상수를 예측하는 과정에 대해 논해보고 유전상수를 줄이므로 해서 얻어지는 이점과 더불어 이를 공학적
1.서론
최근 반도체 직접회로 제조기술을 응용한 미소기계부품의 제작이 가능하게 됨에 따라 마이크로미터, 나노미터 크기의 미소부품과 이들의 작동에 필요한 집적회로를 하나의 칩으로 일체화 시킨 미세전기기계시스템(MEMS: MicroElectroMechanical Systems)이 등장하였으며, 급격한 발전을 이룩하였다. 또
dielectric constant of the material (3.9 for silicon dioxide)
ε0 is the permittivity of free space
decreasing the thickness t -> increase the capacitance of the structure
increase the number of charges in the channel and the drive current for a
fixed value of gate voltage.
the silicon dioxide layer thickness is reaching the limits of scaling.
The alternative way of increasin
Atoms/cm3
Atomic weight
An atom mass
Breakdown field
Binding energy(with Si)
Crystal structure
Density
Solid
Liquid at 1412℃
Dielectric constant, εr
Effective density of states of NC
Effective density of states of Nv
Effective mass, m*/m0
Electrons
Holes
Electron affinity, χ
Energy gap, Eg
Heat capacity
Solid
Liquid at 1,412℃
Index of refraction, n
Intrinsic carrier con
1. Introduction
1-1 실험 목적
이번 실험의 목적은 MOS Capacitor를 직접 제작해보며 그 공정을 이해하는 것이다. 또한 유전층의 종류(SiO2, Al2O3)에 따라 MOS Capacitor 의 전기적 특성이 어떻게 달라지는지 살펴보고 변화하는 Capacitance 의 차이를 분석한다. 이를 바탕으로 각 유전층의 유전상수(dielectric constant)
dielectric constant)로, 이 값은 진공의 유전율에 대한 절연체의 유전율의 비(ratio)이다. 그러므로 진공의 경우에는 k=1이고, 모든 물질의 유전 상수는 1보다 큰 값을 갖는다. 유전상수가 크면 클수록 더 큰 capacitance를 얻을 수 있다.
위의 식에서 보는바와 같이 capacitance는 capacitor의 두께(d)가 얇아질수록 커진
dielectric constant)로, 이 값은 진공의 유전율에 대한 절연체의 유전율의 비(ratio)이다. 그러므로 진공의 경우에는 k=1이고, 모든 물질의 유전 상수는 1보다 큰 값을 갖는다. 유전상수가 크면 클수록 더 큰 capacitance를 얻을 수 있다.
위의 식에서 보는바와 같이 capacitance는 capacitor의 두께(d)가 얇아질수록 커진